プリセッション電子線回折法を応用したSiナノ薄膜の結晶方位イメージング

プリセッション電子線回折法をTEM結晶方位分布解析に応用することにより結晶性材料の高精度ナノ結晶方位イメージングが実現可能です。

KRIからのご提案

多結晶材料の結晶方位分解析を通して、材料の特性発現機構をナノスケールで解明するお手伝いをいたします。

●グラニュラー強磁性薄膜、多結晶軟磁性薄膜における磁化容易軸の分布状態解析

●強加工を施した金属材料における加工集合組織、再結晶集合組織の結晶方位分布解析

●非晶質材料中に析出したナノ結晶粒の分布状態解析(数密度、粒子径、結晶方位など)